海力士推迟无锡新厂投产计划!

IC007 2019-6-26 24小时 106 0 0

海力士推迟无锡新厂投产计划!


文︱综合整理

图︱网络


据外媒报道,由于DRAM内存芯片价格不断下跌,近期又有华为事件的影响,SK海力士正在计划推迟位于中国无锡的全球最先进内存芯片工厂的投产计划。





中国市场是SK海力士最大的海外市场,去年中国区营收占了40%,其中华为就占了12%的营收,但是现在的大环境变了,不仅华为被制裁影响了市场需求,持续不断的内存跌价也让SK海力士面临亏损的可能。


在这样的双重打击下,接近SK海力士的消息人士称SK海力士准备推迟无锡C2F工厂的加速量产的计划,该工厂已经在4月份正式竣工,海力士原本计划在Q3季度加速量产。


SK海力士无锡二厂C2F项目于2016年12月宣布,2017年10月签约,2017年6月开工,2018年11月开始设备迁入,总投资达86亿美元,其中16亿美元用于建设3.3万平米的新厂房和附属设施,70亿美元用于引入全球最先进的内存芯片生产设备。


作为现有工厂(C2)的延伸项目,新工厂建设周期2017-2026年,全部完成后将成为全球单体投资规模最大、月产能最大、技术最先进的10nm级别工艺内存芯片生产基地,月产能可达18万块300毫米晶圆,年销售额可达33亿美元。


目前,SK海力士占有中国内存芯片市场大约35%的份额,无锡二厂投用后预计可升至超过45%。


另据市场研究公司预计,DRAM价格将在第三季下跌15%,比之前的估计低5个百分点。|中国半导体论坛公众号|DRAM是SK集团子公司的主要业务。它占其全部销售额的80%,而NAND闪存业务占18%。


此外,一些全球和韩国本土市场分析师还预测,今年下半年芯片价格将下跌,预计这家去年营业利润达到20.9万亿韩元的韩国芯片公司今年第四季度可能会出现亏损。


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